Gamintojo produkto numeris:
CSD19536KTTT
Product Overview
Gamintojas:
Texas Instruments
Detalių numeris:
CSD19536KTTT-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventorius:
947 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12788555
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
CSD19536KTTT Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Texas Instruments
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
NexFET™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
153 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
12000 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
375W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (DDPAK-3)
Pakuotė / dėklas
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Pagrindinio produkto numeris
CSD19536
Duomenų lapas ir dokumentai
Gamintojo produkto puslapis
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
296-41136-6
296-41136-1
296-41136-2
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
2 (1 Year)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
CSD17483F4
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
CSD22204W
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
