Gamintojo produkto numeris:
RN1607(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1607(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventorius:
1271 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889494
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1607(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
10kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
47kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
300mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-74, SOT-457
Tiekėjo įrenginių paketas
SM6
Pagrindinio produkto numeris
RN1607
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1607(TE85LF)DKR
RN1607(TE85LF)TR
RN1607(TE85LF)CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PIMH9,115
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
3000
DiGi DALIES NUMERIS
PIMH9,115-DG
VISO KAINA
0.04
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN2602(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN1910FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1970FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
