Gamintojo produkto numeris:
RN1706JE(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1706JE(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventorius:
12891281
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1706JE(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
47kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-553
Tiekėjo įrenginių paketas
ESV
Pagrindinio produkto numeris
RN1706
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1706JE(TE85LF)DKR
RN1706JE(TE85LF)CT
RN1706JE(TE85LF)TR
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1601(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN2909,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN1610(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
