Gamintojo produkto numeris:
TK25N60X,S1F
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TK25N60X,S1F-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Inventorius:
12889157
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
ugPH
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TK25N60X,S1F Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tube
Serijos
DTMOSIV-H
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
25A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2400 pF @ 300 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
180W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
TK25N60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TK25N60XS1F
TK25N60X,S1F(S
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPW65R125C7XKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
80
DiGi DALIES NUMERIS
IPW65R125C7XKSA1-DG
VISO KAINA
2.31
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXFH34N65X2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
89
DiGi DALIES NUMERIS
IXFH34N65X2-DG
VISO KAINA
4.08
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SJ668(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS