Gamintojo produkto numeris:
TK7A60W5,S5VX
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
TK7A60W5,S5VX-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventorius:
80 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12890357
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TK7A60W5,S5VX Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tube
Serijos
DTMOSIV
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 350µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
490 pF @ 300 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
30W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220SIS
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
TK7A60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TK7A60W5,S5VX(M
TK7A60W5S5VX
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TK30A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
TK8P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
TK9A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS