TPH3212PS

Gamintojo produkto numeris:

TPH3212PS

Product Overview

Gamintojas:

Transphorm

Detalių numeris:

TPH3212PS-DG

Aprašymas:

GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

Išsami aprašymas:

N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

13446813

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

TPH3212PS Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Transphorm

Pakuotė

-

Serijos

-

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

650 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

27A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

72mOhm @ 17A, 8V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.6V @ 400uA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

14 nC @ 8 V

VGS (Max)

±18V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

1130 pF @ 400 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

104W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-220AB

Pakuotė / dėklas

TO-220-3

Pagrindinio produkto numeris

TPH3212

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

RoHS Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

transphorm

TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

transphorm

TPH3206PD

GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

transphorm

TP65H035WS

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

transphorm

TPH3208PS

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB