Gamintojo produkto numeris:
IRF840LCSTRL
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRF840LCSTRL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12912963
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF840LCSTRL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IRF840
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDB12N50TM
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
1
DiGi DALIES NUMERIS
FDB12N50TM-DG
VISO KAINA
0.91
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STB11NK50ZT4
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
872
DiGi DALIES NUMERIS
STB11NK50ZT4-DG
VISO KAINA
1.34
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
IXFA4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263