IRFD214PBF

Gamintojo produkto numeris:

IRFD214PBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFD214PBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

Išsami aprašymas:

N-Channel 250 V 450mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12909204

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRFD214PBF Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Tube

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

250 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

450mA (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

2Ohm @ 270mA, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

140 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1W (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

4-HVMDIP

Pakuotė / dėklas

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Pagrindinio produkto numeris

IRFD214

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

*IRFD214PBF

Standartinis paketas

2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

littelfuse

IXFK25N90

MOSFET N-CH 900V 25A TO264AA

vishay-siliconix

IRLR014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

IRLI630G

MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3

littelfuse

IXTK120N25

MOSFET N-CH 250V 120A TO264