IRFD9120PBF

Gamintojo produkto numeris:

IRFD9120PBF

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

IRFD9120PBF-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Išsami aprašymas:

P-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventorius:

49032 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12881819

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRFD9120PBF Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Tube

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

P-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

100 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

1A (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

600mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

18 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

390 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1.3W (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

4-HVMDIP

Pakuotė / dėklas

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Pagrindinio produkto numeris

IRFD9120

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

*IRFD9120PBF

Standartinis paketas

100

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

stmicroelectronics

STD10NM65N

MOSFET N-CH 650V 9A DPAK

vishay-siliconix

2N6661JTXL02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

stmicroelectronics

STWA65N60DM6

MOSFET N-CH 600V 38A TO247

vishay-siliconix

IRFBC30ALPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK