Gamintojo produkto numeris:
SI4122DY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4122DY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 27.2A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
9797 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12913856
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4122DY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
27.2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta), 6W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4122
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4122DY-T1-GE3DKR
SI4122DY-T1-GE3TR
SI4122DY-T1-GE3CT
SI4122DYT1GE3
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7409ADN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
IRFZ44L
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
SI4409DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
