Gamintojo produkto numeris:
SI4186DY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4186DY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 35.8A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
4214 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12917434
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4186DY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
35.8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3630 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta), 6W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4186
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4186DY-T1-GE3TR
SI4186DY-T1-GE3-DG
SI4186DY-T1-GE3CT
SI4186DY-T1-GE3DKR
SI4186DYT1GE3
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQS460ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
SI5419DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI3447BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
