SI4368DY-T1-E3

Gamintojo produkto numeris:

SI4368DY-T1-E3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI4368DY-T1-E3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

Išsami aprašymas:

N-Channel 30 V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventorius:

1330 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12912204

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

SI4368DY-T1-E3 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

TrenchFET®

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

30 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

17A (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

1.8V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

80 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±12V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

8340 pF @ 15 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1.6W (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

8-SOIC

Pakuotė / dėklas

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pagrindinio produkto numeris

SI4368

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

SI4368DY-T1-E3-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

SI4368DY-T1-E3TR

SI4368DY-T1-E3DKR

SI4368DY-T1-E3CT

SI4368DYT1E3

Standartinis paketas

2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS

RS1E281BNTB1

GAMINTOJAS

Rohm Semiconductor

PRIEINAMAS KIEKIS

940

DiGi DALIES NUMERIS

RS1E281BNTB1-DG

VISO KAINA

0.71

Pakeitimo tipas

MFR Recommended

DALIES NUMERIS

RS1E280BNTB

GAMINTOJAS

Rohm Semiconductor

PRIEINAMAS KIEKIS

35014

DiGi DALIES NUMERIS

RS1E280BNTB-DG

VISO KAINA

0.27

Pakeitimo tipas

MFR Recommended

DALIES NUMERIS

RS3E095BNGZETB

GAMINTOJAS

Rohm Semiconductor

PRIEINAMAS KIEKIS

2500

DiGi DALIES NUMERIS

RS3E095BNGZETB-DG

VISO KAINA

0.29

Pakeitimo tipas

MFR Recommended

DALIES NUMERIS

RXH070N03TB1

GAMINTOJAS

Rohm Semiconductor

PRIEINAMAS KIEKIS

2498

DiGi DALIES NUMERIS

RXH070N03TB1-DG

VISO KAINA

0.32

Pakeitimo tipas

MFR Recommended

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

vishay-siliconix

SI1303DL-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3

vishay-siliconix

SI3454CDV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP

vishay-siliconix

IRFZ14

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

littelfuse

IXTH30N50L2

MOSFET N-CH 500V 30A TO247