Gamintojo produkto numeris:
SI5904DC-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI5904DC-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventorius:
12916777
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI5904DC-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.1A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
1.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SMD, Flat Lead
Tiekėjo įrenginių paketas
1206-8 ChipFET™
Pagrindinio produkto numeris
SI5904
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI5904DC-T1-E3TR
SI5904DCT1E3
SI5904DC-T1-E3CT
SI5904DC-T1-E3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI5908DC-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
27807
DiGi DALIES NUMERIS
SI5908DC-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.46
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
NTHD4508NT1G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
314
DiGi DALIES NUMERIS
NTHD4508NT1G-DG
VISO KAINA
0.68
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQJ951EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
SI4933DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8SOIC
SQ4961EY-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC