Gamintojo produkto numeris:
SI5908DC-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI5908DC-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventorius:
11558 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12915943
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI5908DC-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.4A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
1.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SMD, Flat Lead
Tiekėjo įrenginių paketas
1206-8 ChipFET™
Pagrindinio produkto numeris
SI5908
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI5908DC-T1-E3DKR
SI5908DCT1E3
SI5908DC-T1-E3TR
SI5908DC-T1-E3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
SI5933CDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
SI1972DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
