SI6473DQ-T1-E3
Gamintojo produkto numeris:

SI6473DQ-T1-E3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI6473DQ-T1-E3-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventorius:

12919530
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI6473DQ-T1-E3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 5 V
VGS (Max)
±8V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.08W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-TSSOP
Pakuotė / dėklas
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI6473

Papildoma informacija

Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SI4845DY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO

vishay-siliconix

SI7455DP-T1-E3

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHH27N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHF12N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220