Gamintojo produkto numeris:
SI7186DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI7186DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 80 V 32A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12919505
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI7186DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
32A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2840 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7186
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI7186DP-T1-GE3TR
SI7186DPT1GE3
SI7186DP-T1-GE3DKR
SI7186DP-T1-GE3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SIR880ADP-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
5940
DiGi DALIES NUMERIS
SIR880ADP-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.71
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7820DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
SUP28N15-52-E3
MOSFET N-CH 150V 28A TO220AB
SI6473DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
