SIA431DJ-T1-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SIA431DJ-T1-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIA431DJ-T1-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventorius:

3531 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12785971
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIA431DJ-T1-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
850mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1700 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SC-70-6
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SC-70-6
Pagrindinio produkto numeris
SIA431

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SIA431DJ-T1-GE3TR
SIA431DJ-T1-GE3DKR
SIA431DJ-T1-GE3CT
SIA431DJT1GE3
SIA431DJ-T1-GE3-DG
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SISH112DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK

vishay-siliconix

SISS61DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

vishay-siliconix

SIS468DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIHA180N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO220