Gamintojo produkto numeris:
SIHA5N80AE-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHA5N80AE-GE3-DG
Aprašymas:
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventorius:
958 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12949160
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHA5N80AE-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
321 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
29W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220 Full Pack
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIHA5N80AE-GE3
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI3129DV-T1-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
PXP6R7-30QLJ
PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
PXP013-30QLJ
PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33
