Gamintojo produkto numeris:
SIHFR430ATRL-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHFR430ATRL-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
13277361
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHFR430ATRL-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.7Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
490 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
110W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
SIHFR430
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIHFR430ATRL-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFR430ATRPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1763
DiGi DALIES NUMERIS
IRFR430ATRPBF-DG
VISO KAINA
0.71
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DALIES NUMERIS
IPD50R1K4CEAUMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
4935
DiGi DALIES NUMERIS
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
VISO KAINA
0.17
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHFR430ATRR-GE3
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
SIS472BDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
SIHFR220TRL-GE3
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
