Gamintojo produkto numeris:
SIHG14N50D-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHG14N50D-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventorius:
491 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12917313
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHG14N50D-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1144 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
208W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHG14
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFH20N50P3
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
146
DiGi DALIES NUMERIS
IXFH20N50P3-DG
VISO KAINA
2.74
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STW14NK50Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
66
DiGi DALIES NUMERIS
STW14NK50Z-DG
VISO KAINA
1.95
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIRA52ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
SI3446ADV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
SI4466DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
