SIHG22N60AE-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SIHG22N60AE-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIHG22N60AE-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventorius:

12786433
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIHG22N60AE-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
20A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1451 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
179W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHG22

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
IPW60R180C7XKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
218
DiGi DALIES NUMERIS
IPW60R180C7XKSA1-DG
VISO KAINA
1.58
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IPW60R180P7XKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
237
DiGi DALIES NUMERIS
IPW60R180P7XKSA1-DG
VISO KAINA
1.54
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STW31N65M5
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
6
DiGi DALIES NUMERIS
STW31N65M5-DG
VISO KAINA
2.20
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SISA88DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK

vishay-siliconix

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIS439DNT-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

vishay-siliconix

SIR165DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8