Gamintojo produkto numeris:
SIR401DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIR401DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 50A (Tc) 5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
1745 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12787494
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIR401DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
50A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
310 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
9080 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5W (Ta), 39W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIR401
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIR401DP-T1-GE3-DG
SIR401DP-T1-GE3TR
SIR401DP-T1-GE3DKR
SIR401DP-T1-GE3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
MCAC50P03B-TP
GAMINTOJAS
Micro Commercial Co
PRIEINAMAS KIEKIS
10952
DiGi DALIES NUMERIS
MCAC50P03B-TP-DG
VISO KAINA
0.31
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUP70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
SQS423EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
SIHB15N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
