Gamintojo produkto numeris:
SIR644DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIR644DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12920498
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIR644DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3200 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIR644
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Produkto brėžiniai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIR644DP-T1-GE3CT
SIR644DP-T1-GE3DKR
SIR644DP-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
BSC022N04LSATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
18064
DiGi DALIES NUMERIS
BSC022N04LSATMA1-DG
VISO KAINA
0.52
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHA25N60EFL-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
SISS27ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
SUD08P06-155L-T4E3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
