Gamintojo produkto numeris:
SQJ401EP-T2_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQJ401EP-T2_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 12 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
13277344
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQJ401EP-T2_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
32A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
164 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
10015 pF @ 6 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
83W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SQJ401
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SQJ401EP-T2_GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SQJ401EP-T1_GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
364
DiGi DALIES NUMERIS
SQJ401EP-T1_GE3-DG
VISO KAINA
0.77
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQJ456EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
SIHLR120-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
SIHF530-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB