Gamintojo produkto numeris:
SQJ469EP-T1_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQJ469EP-T1_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 80 V 32A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
8792 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12921065
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQJ469EP-T1_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
32A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5100 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
100W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SQJ469
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SQJ469EP-T1-GE3TR
SQJ469EP-T1_GE3TR
SQJ469EP-T1-GE3-DG
SQJ469EP-T1-GE3TR-DG
SQJ469EP-T1_GE3CT
SQJ469EP-T1-GE3CT
SQJ469EP-T1-GE3CT-DG
SQJ469EP-T1-GE3DKR-DG
SQJ469EP-T1_GE3DKR
SQJ469EP-T1-GE3
SQJ469EP-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
SIJ400DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
