SQJA68EP-T1_GE3
Gamintojo produkto numeris:

SQJA68EP-T1_GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SQJA68EP-T1_GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8L

Inventorius:

5545 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12920492
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SQJA68EP-T1_GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
92mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
280 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8L
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8L
Pagrindinio produkto numeris
SQJA68

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SQJA68EP-T1_GE3CT
SQJA68EP-T1_GE3TR
SQJA68EP-T1_GE3DKR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SQ9407EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO

vishay-siliconix

SIR644DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHA25N60EFL-E3

MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

vishay-siliconix

SISS27ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S