Gamintojo produkto numeris:
SUB75P03-07-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SUB75P03-07-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 75A (Tc) 3.75W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12786899
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SUB75P03-07-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
75A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
9000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.75W (Ta), 187W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SUB75
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SUB75P03-07-E3-DG
SUB75P0307E3
SUB75P03-07-E3CT
SUB75P03-07-E3DKR
SUB75P03-07-E3TR
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SUM110P04-05-E3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
46039
DiGi DALIES NUMERIS
SUM110P04-05-E3-DG
VISO KAINA
2.07
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SIHA15N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
SUM40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
