SUM110P04-05-E3
Gamintojo produkto numeris:

SUM110P04-05-E3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SUM110P04-05-E3-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Išsami aprašymas:
P-Channel 40 V 110A (Tc) 15W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventorius:

46039 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12920766
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SUM110P04-05-E3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
110A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
280 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
15W (Ta), 375W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SUM110

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SUM110P04-05-E3TR
SUM110P04-05-E3-DG
SUM110P04-05-E3DKR
SUM110P0405E3
SUM110P04-05-E3CT
Standartinis paketas
800

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252

vishay-siliconix

SUP50N10-21P-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

vishay-siliconix

SIR164ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK

vishay-siliconix

SISS40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK