Gamintojo produkto numeris:
IRFPE40PBF
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRFPE40PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventorius:
168 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13053035
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFPE40PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Pakavimas
Tube
Dalies būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IRFPE40
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRFPE40PBF
Standartinis paketas
25
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFPE50PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
353
DiGi DALIES NUMERIS
IRFPE50PBF-DG
VISO KAINA
2.07
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STW8NK80Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
241
DiGi DALIES NUMERIS
STW8NK80Z-DG
VISO KAINA
1.63
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFR310TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IRFSL31N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
IRFD224
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
