SI2328DS-T1-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SI2328DS-T1-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI2328DS-T1-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventorius:

5670 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13060491
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI2328DS-T1-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.15A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
730mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23-3 (TO-236)
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pagrindinio produkto numeris
SI2328

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SI2328DS-T1-GE3CT
SI2328DS-T1-GE3TR
SI2328DS-T1-GE3DKR
SI2328DST1GE3
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK

vishay

SQD50034E_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

vishay

SI4812BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

vishay

SI4442DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO