Gamintojo produkto numeris:
SQD50034E_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQD50034E_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
3301 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13060548
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQD50034E_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
100A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6600 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
107W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
SQD50034
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SQD50034E_GE3CT
SQD50034E_GE3TR
SQD50034E_GE3DKR
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SQJ174EP-T1_GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
14945
DiGi DALIES NUMERIS
SQJ174EP-T1_GE3-DG
VISO KAINA
0.70
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4812BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
SI4442DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SQA470EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
