SI4134DY-T1-E3
Gamintojo produkto numeris:

SI4134DY-T1-E3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI4134DY-T1-E3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventorius:

3629 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13056246
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI4134DY-T1-E3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
846 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4134

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SI4134DY-T1-E3CT
SI4134DY-T1-E3TR
SI4134DY-T1-E3DKR
SI4134DY-T1-E3-ND
Standartinis paketas
2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay

SI2303BDS-T1

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

vishay

SI4886DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO

vishay

SI2314EDS-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

vishay

SI5459DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A PPAK