Gamintojo produkto numeris:
SI4866BDY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4866BDY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 12 V 21.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
13056032
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4866BDY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
21.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5020 pF @ 6 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SI4866
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4866BDYT1GE3
SI4866BDY-T1-GE3DKR
SI4866BDY-T1-GE3TR
SI4866BDY-T1-GE3CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7483ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
IRFP064PBF
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
IRFZ44STRRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
