Gamintojo produkto numeris:
SI5947DU-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI5947DU-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Inventorius:
13056476
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI5947DU-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Gamintojas
Vishay Siliconix
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
480pF @ 10V
Galia - Maks.
10.4W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® ChipFet Dual
Pagrindinio produkto numeris
SI5947
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI5947DU-T1-GE3TR
SI5947DUT1GE3
SI5947DU-T1-GE3CT
SI5947DU-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI5902BDC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
SI1034X-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89
SI4590DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC