Gamintojo produkto numeris:

SIRA66DP-T1-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIRA66DP-T1-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Išsami aprašymas:

N-Channel 30 V 50A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

13061260

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

SIRA66DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Vishay

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Pakavimas

Tape & Reel (TR)

Dalies būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

30 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

50A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.2V @ 1mA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

66 nC @ 10 V

VGS (Max)

+20V, -16V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

62.5W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

PowerPAK® SO-8

Pakuotė / dėklas

PowerPAK® SO-8

Pagrindinio produkto numeris

SIRA66

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

SIRA66DP-T1-GE3-DG

Duomenų lapai

SIRA66DP-T1-GE3

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

SIRA66DP-T1-GE3DKR

SIRA66DP-T1-GE3CT

SIRA66DP-T1-GE3-ND

SIRA66DP-T1-GE3TR

Standartinis paketas

3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS

RS1E350BNTB

GAMINTOJAS

Rohm Semiconductor

PRIEINAMAS KIEKIS

810

DiGi DALIES NUMERIS

RS1E350BNTB-DG

VISO KAINA

0.65

Pakeitimo tipas

MFR Recommended

DALIES NUMERIS

RS1E321GNTB1

GAMINTOJAS

Rohm Semiconductor

PRIEINAMAS KIEKIS

4800

DiGi DALIES NUMERIS

RS1E321GNTB1-DG

VISO KAINA

0.91

Pakeitimo tipas

MFR Recommended

DALIES NUMERIS

RS3E095BNGZETB

GAMINTOJAS

Rohm Semiconductor

PRIEINAMAS KIEKIS

2500

DiGi DALIES NUMERIS

RS3E095BNGZETB-DG

VISO KAINA

0.29

Pakeitimo tipas

MFR Recommended

DALIES NUMERIS

RXH070N03TB1

GAMINTOJAS

Rohm Semiconductor

PRIEINAMAS KIEKIS

2498

DiGi DALIES NUMERIS

RXH070N03TB1-DG

VISO KAINA

0.32

Pakeitimo tipas

MFR Recommended

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

vishay

SI4190DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

vishay

SIS438DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

vishay

SI1480DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6

vishay

SI7160DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8