Pagrindinis
Produktai
Gamintojai
Apie DiGi
Susisiekite su mumis
Tinklaraščiai ir įrašai
Užklausa dėl kainos/Siūlymas
Lithuania
Prisijungti
Pasirinktinė kalba
Dabartinė jūsų pasirinkta kalba
Lithuania
Perjungti:
Anglų
Europa
Jungtinė Karalystė
Prancūzija
Ispanija
Turkija
Moldavija
Lietuva
Norvegija
Vokietija
Portugalija
Slovakija
litų
Suomija
Rusų
Bulgarija
Danija
Estija
Lenkija
Ukraina
Slovėnija
Čekų
Graikų
Kroatija
Izraelis
Serbija
Baltarusija
Nyderlandai
Švedija
Juodkalnija
Baskų
Islandija
Bosnija
Vengrų
Rumunija
Austrija
Belgija
Airija
Azija / Ramiojo vandenyno regionas
Kinija
Vietnamas
Indonezija
Tailandas
Laosas
Filipinų
Malaizija
Korėja
Japonija
Hongkong
Taivanas
Singapūras
Pakistanas
Saudo Arabija
Kataras
Kuveitas
Kambodža
Mianmaras
Afrika, Indija ir Artimieji Rytai
Jungtiniai Arabų Emyratai
Tadžikija
Madagaskaras
Indija
Iranas
Kongo Demokratinė Respublika
Pietų Afrika
Egiptas
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegalas
Marokas
Tunisas
Pietų Amerika / Okeanija
Naujoji Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambikas
Peru
Kolumbija
Čilė
Venesuela
Ekvadoras
Bolivija
Urugvajus
Argentina
Paragvajus
Australija
Šiaurės Amerika
Jungtinės Amerikos Valstijos
Haitis
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Apie DiGi
Apie mus
Apie mus
Mūsų sertifikatai
DiGi Įvadas
Kodėl DiGi
Politika
Kokybės politika
Naudojimosi sąlygos
RoHS atitiktis
Grąžinimo procesas
Ištekliai
Produktų Kategorijos
Gamintojai
Tinklaraščiai ir įrašai
Paslaugos
Kokybės garantija
Mokėjimo būdas
Pasaulinė siunta
Siuntimo kainos
DUK
Gamintojo produkto numeris:
IRF7329TR
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7329TR-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
Prašymas dėl kainos internetu
12858818
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
*
Įmonė
*
Kontaktinis Vardas
*
Telefonas
*
El. paštas
Pristatymo adresas
Žinutė
(
*
) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7329TR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.2A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
900mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3450pF @ 10V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
IRF732
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
IRF7329
Papildoma informacija
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF7329TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
25277
DiGi DALIES NUMERIS
IRF7329TRPBF-DG
VISO KAINA
0.49
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTQD6968R2
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP
SI4532DY
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
NTLUD3191PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
NTLUD3A50PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN