Gamintojo produkto numeris:
FQP27P06
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQP27P06-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 27A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
23999 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12839241
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQP27P06 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
27A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
120W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
FQP27
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-FQP27P06-488
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRLU110ATU
MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK
FQD7N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
