Gamintojo produkto numeris:
NVMYS9D3N06CLTWG
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NVMYS9D3N06CLTWG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventorius:
13001063
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NVMYS9D3N06CLTWG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14A (Ta), 50A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 35µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
880 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.6W (Ta), 46W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
LFPAK4 (5x6)
Pakuotė / dėklas
SOT-1023, 4-LFPAK
Pagrindinio produkto numeris
NVMYS9D3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
488-NVMYS9D3N06CLTWGTR
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NVBL099N65S3
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
PSMN4R5-80YSFX
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
GAN190-650EBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
