Gamintojo produkto numeris:
BSS84XHZGG2CR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
BSS84XHZGG2CR-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 230mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Inventorius:
4070 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12948441
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSS84XHZGG2CR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
230mA (Ta)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 230mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 100µA
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
34 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DFN1010-3W
Pakuotė / dėklas
3-XFDFN
Pagrindinio produkto numeris
BSS84
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-BSS84XHZGG2CRTR
846-BSS84XHZGG2CRCT
846-BSS84XHZGG2CRDKR
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STD2LN60K3
MOSFET N CH 600V 2A DPAK
RV8C010UNHZGG2CR
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
RV8L002SNHZGG2CR
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
