Gamintojo produkto numeris:
RV8C010UNHZGG2CR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RV8C010UNHZGG2CR-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 1W Surface Mount DFN1010-3W
Inventorius:
5842 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12948488
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RV8C010UNHZGG2CR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Ta)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 1mA
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
40 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DFN1010-3W
Pakuotė / dėklas
3-XFDFN
Pagrindinio produkto numeris
RV8C010
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-RV8C010UNHZGG2CRCT
846-RV8C010UNHZGG2CRDKR
846-RV8C010UNHZGG2CRTR
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RV8L002SNHZGG2CR
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
STW56N65M2-4
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
