Gamintojo produkto numeris:
STF18N65M2
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STF18N65M2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventorius:
3720 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12877086
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STF18N65M2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™ M2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
330mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
770 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220FP
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
STF18
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-15533-5
497-15533-5-DG
497-STF18N65M2
-497-15533-5
5060-STF18N65M2
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STU12N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
STD11N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STP12NM50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB