Gamintojo produkto numeris:
SI1072X-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1072X-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V SC89-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventorius:
12913917
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1072X-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
93mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
280 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
236mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-89 (SOT-563F)
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Pagrindinio produkto numeris
SI1072
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI1070X-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
923
DiGi DALIES NUMERIS
SI1070X-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.13
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
SSM6K202FE,LF
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
21141
DiGi DALIES NUMERIS
SSM6K202FE,LF-DG
VISO KAINA
0.12
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4170DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
IRFR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IXFK220N17T2
MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
