SIHB18N60E-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SIHB18N60E-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIHB18N60E-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventorius:

12787122
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIHB18N60E-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1640 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
179W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SIHB18

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
IXTA24N65X2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
50
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA24N65X2-DG
VISO KAINA
2.52
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STB21N65M5
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
1748
DiGi DALIES NUMERIS
STB21N65M5-DG
VISO KAINA
2.31
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IXFA22N65X2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
250
DiGi DALIES NUMERIS
IXFA22N65X2-DG
VISO KAINA
2.56
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STB28N60M2
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
STB28N60M2-DG
VISO KAINA
1.41
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IPB60R165CPATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
3135
DiGi DALIES NUMERIS
IPB60R165CPATMA1-DG
VISO KAINA
2.21
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

vishay-siliconix

SQM90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 95A TO263

vishay-siliconix

SIHB11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK