SIR416DP-T1-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SIR416DP-T1-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIR416DP-T1-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventorius:

990 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12965783
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIR416DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
50A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3350 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIR416

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
SIR416DP-T1-GE3-DG
Duomenų lapai
SIR416DP-T1-GE3

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SIR416DP-T1-GE3DKR
SIR416DP-T1-GE3CT
SIR416DPT1GE3
SIR416DP-T1-GE3TR
SIR416DP-T1-GE3-DG
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
RS3L045GNGZETB
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
1173
DiGi DALIES NUMERIS
RS3L045GNGZETB-DG
VISO KAINA
0.25
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
RQ3G100GNTB
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
112698
DiGi DALIES NUMERIS
RQ3G100GNTB-DG
VISO KAINA
0.14
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
RSH065N06TB1
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
968
DiGi DALIES NUMERIS
RSH065N06TB1-DG
VISO KAINA
0.47
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
RS1G150MNTB
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
RS1G150MNTB-DG
VISO KAINA
0.32
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
RS1G260MNTB
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
2296
DiGi DALIES NUMERIS
RS1G260MNTB-DG
VISO KAINA
0.77
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
vishay-siliconix

SIA449DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SIHW61N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

vishay-siliconix

SQJA38EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR862DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8