SI3812DV-T1-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SI3812DV-T1-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI3812DV-T1-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventorius:

13060452
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI3812DV-T1-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
LITTLE FOOT®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
AKT funkcija
Schottky Diode (Isolated)
Galios išsklaidymas (Max)
830mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pagrindinio produkto numeris
SI3812

Papildoma informacija

Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay

SI2328DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

vishay

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK

vishay

SQD50034E_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

vishay

SI4812BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO