SI7190ADP-T1-RE3
Gamintojo produkto numeris:

SI7190ADP-T1-RE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI7190ADP-T1-RE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventorius:

5855 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13060415
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI7190ADP-T1-RE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
ThunderFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
7.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
102mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
22.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
860 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7190

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SI7190ADP-T1-RE3CT
2266-SI7190ADP-T1-RE3TR
SI7190ADP-T1-RE3TR
SI7190ADP-T1-RE3DKR
SI7190ADP-RE3
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay

SI3812DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP

vishay

SI2328DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

vishay

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK

vishay

SQD50034E_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA